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Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

제품 세부 정보

원래 장소: 중국

브랜드 이름: Dayoo

지불 및 배송 조건

최소 주문 수량: 맞춤형

가격: CNY

포장 세부 사항: 패키지

배달 시간: 60 근무일

공급 능력: 공장

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제품 설명

강조하다:

높은 열전도율:	예	열충격 저항:	좋은
최대 온도:	1380 ℃	굽힘 강도:	280 Mpa
청정:	98%	압축강도:	> 2GPa

높은 열전도율:	예
열충격 저항:	좋은
최대 온도:	1380 ℃
굽힘 강도:	280 Mpa
청정:	98%
압축강도:	> 2GPa

Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier | Precision Hollow SiC Ceramic Support Plate Product Introduction This product is a Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier, manufactured from high-purity silicon carbide (SiC) ceramic raw materials. It features an overall diamond outline with multi-layer annular radial hollow structure in the center. Fabricated via atmospheric pressure high-temperature sintering and precision machining, it boasts

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